Измеряя сопротивление, не допускают перегрузки переходов р-п током, так как она приводит к возрастанию температуры и выходу из строя транзистора. Наиболее безопасно применять омметры с внутренним источником напряжения 1,5 В или меньше, а в многопредельных омметрах использовать шкалы с пределами 1 х 100 или 1 х 1000 Ом.
Сопротивление между коллектором и эмиттером в прямом и обратном направлениях должно быть не менее 10 кОм. При меньшем сопротивлении транзистор будет иметь большие токи утечки и должен быть заменен. Сопротивление между выводами базы и эмиттера и выводами базы и коллектора должно составлять в одном направлении меньше 150 Ом, в другом — более нескольких тысяч ом.
Выявление неполадок транзисторов может быть осуществлено также измерением напряжения на их выводах, что требует особой осторожности, так как даже кратковременные замыкания между коллектором и базой выводят транзистор из строя. При обрыве вывода базы на ней сохраняется нормальное напряжение, в то время как транзистор находится в режиме отсечки, на что указывает отсутствие тока в цепях коллектора и эмиттера.
Если вольтметр показывает одинаковые напряжения на коллекторе и эмиттере, то наиболее вероятной причиной неисправности является пробой в коллекторном или эмиттерном переходах.
Вместе с тем это явление может возникнуть из-за изменения напряжения смещения, вследствие которого транзистор оказывается чрезмерно открытым. В этом случае напряжение на эмиттере будет примерно равным напряжению на коллекторе. Для проверки исправности такого каскада подключают вольтметр параллельно резистору в эмиттерной цепи, после чего замыкают выводы эмиттера и базы. Если транзистор исправен, то показания вольтметра должны уменьшиться, поскольку прямое напряжение смещения при этом упадет до нуля.
Выявление неполадок полевых транзисторов
Полевые транзисторы по сравнению с биполярными обладают большим входным сопротивлением и наличием термостабильной точки, вследствие чего предпочтительны для применения в усилителях постоянного тока, используемых в различных контрольно-измерительных приборах и регуляторах теплоэнергетических процессов. Полевые транзисторы также обладают лучшими шумовыми свойствами на низких и инфранизких частотах и хорошей стабильностью электрических параметров.
Наиболее часто повреждения полевых транзисторов возникают в результате разряда на них статического электричества, накопленного на производственном оборудовании или на одежде и обуви обслуживающего, например ремонтного, персонала.
«Справочное пособие по ремонту приборов и регуляторов»,
А.А.Смирнов