Повреждения полевых транзисторов

Для снятия статического электричества используют заземленные браслеты.

Повреждения полевых транзисторов в результате воздействия статического электричества могут вызвать полный отказ (короткое замыкание между затвором и электродами стока и истока, обрыв цепи любого электрода) или частичную утрату их работоспособности в виде ухудшения электрических параметров (возрастание тока затвора на один-три порядка, уменьшение тока стока и крутизны характеристики, увеличение порогового напряжения). Последняя группа повреждений проявляется как результат нарушения структуры прибора: образование локальных областей пробоя, перегорание дорожек металлизации.

Для пайки используют специальный паяльник мощностью не более 40 Вт и напряжением питания 12 В, с температурой жала не выше 200 °С и диаметром жала 1,5…2,0 мм. Длина подпаиваемого вывода должна составлять не менее 10 мм, причем для отвода теплоты вывод следует обжимать пинцетом, круглогубцами или плоскогубцами. Время пайки должно быть минимальным.

Выявление неполадок интегральных микросхем. Наиболее часто интегральные микросхемы отказывают в работе по причине обрыва в соединениях микроэлементов и выводов. Диаметр соединительных проводов микроэлементов составляет всего сотые доли миллиметра, и провода легко разрушаются при ничтожном перегреве. Отпаянная микросхема не может быть установлена вновь, даже если проведенная проверка показала, что она исправна, так как заводы-изготовители микросхем не гарантируют их безотказной работы в результате повторного нагрева проводов.

Единственно бесспорным критерием, указывающим на необходимость замены интегральной микросхемы, является отсутствие импульсных напряжений хотя бы на одном из ее выводов при полном соответствии номинальным напряжений на остальных выводах. Отсюда следует, что выявление неполадок микросхем осуществляют, измеряя осциллографом постоянные и импульсные напряжения на их выводах. Отсчет выводов микросхемы производят со стороны монтажа в направлении против часовой стрелки от имеющейся точки на корпусе микросхемы. На печатной плате отсчет ведут по часовой стрелке от маркировки, помеченной цифрой «1».

Исправность аналоговых интегральных микросхем определяют по коэффициенту усиления, входному току и напряжению смещения нуля при помощи испытателя интегральных микросхем Л2-47.

Для выявления неполадок микросхем нельзя применять ампервольтомметр.


«Справочное пособие по ремонту приборов и регуляторов»,
А.А.Смирнов

Старение проволочного резистра

Намотанный во время ремонта проволочный резистор после осуществления процесса старения, т. е. резистор с состаренным манганином, надо брать в руки исключительно за щечки каркаса, но не за обмотку, так как нажим пальцев на проволоку может случайно «снять» старение. По этой же причине с целью крепления нельзя затягивать состаренную манганиновую проволочную обмотку изоляционной пленкой, т. е….

Ведение намотки

Намотку ведут виток к витку двумя сложенными вместе и сматываемыми одновременно с двух катушек проводами. Концы этих проводов припаивают к контактам корпуса и начинают намотку, ориентируясь на показания счетчика оборотов. Сопротивление наматываемого провода на 1…2% должно превышать номинальное значение, с тем чтобы после проведения искусственного старения манганиновой проволоки, когда ее сопротивление уменьшится, было бы удобно…

Применение лака 321-Т

Применение: помещают катушку с обмоткой в сушильный шкаф и при (120 ± 10) °С прогревают в течение двух часов, после чего вынимают катушку из сушильного шкафа и переносят в шкаф с температурой 60° С, где выдерживают в течение одного часа; погружают катушку с обмоткой в ванну с пропиточным лаком 321-В или 321-Т и выдерживают в…

Обратное подключение омметра

При обратном подключении омметра положительный полюс внутренней батареи омметра подключают к выходу диода. Прямое сопротивление диода измеряют по шкале омметра с пределом х 10 Ом, а обратное — по шкале с пределом х 1000 Ом. У германиевых точечных диодов обратное сопротивление должно превышать 100…200 кОм, у кремниевых точечных и плоскостных диодов — составлять не менее…

Причины выхода транзистора из строя

Измеряя сопротивление, не допускают перегрузки переходов р-п током, так как она приводит к возрастанию температуры и выходу из строя транзистора. Наиболее безопасно применять омметры с внутренним источником напряжения 1,5 В или меньше, а в многопредельных омметрах использовать шкалы с пределами 1 х 100 или 1 х 1000 Ом. Сопротивление между коллектором и эмиттером в прямом…