При обратном подключении омметра положительный полюс внутренней батареи омметра подключают к выходу диода.
Прямое сопротивление диода измеряют по шкале омметра с пределом х 10 Ом, а обратное — по шкале с пределом х 1000 Ом.
У германиевых точечных диодов обратное сопротивление должно превышать 100…200 кОм, у кремниевых точечных и плоскостных диодов — составлять не менее 1…2 МОм, у германиевых плоскостных диодов — от 100 кОм до 2 МОм.
Во избежание прогрева диода теплотой пальцев рук при измерениях избегают держать его за корпус.
При пробое диода прямое сопротивление будет почти такое же, как обратное. При обрыве цепи в диоде как пря мое, так и обратное сопротивление будет бесконечно большим.
Выявление неполадок стабилитронов выполняют, либо не отделяя стабилитрон от платы, либо отсоединив его. В первом случае включают ток питания платы и измеряют рабочее напряжение на стабилитроне: если оно окажется в пределах нормального значения для данного типа стабилитрона, то он исправен. Во втором случае, как и при проверке диодов, измеряют сопротивление при прямом и обратном приложении напряжения. При проверке некоторых кремниевых стабилитронов имеют в виду, что если приложенное обратное напряжение не превышает напряжения стабилизации, то свойства стабилитрона ничем не отличаются от свойств любого низкочастотного диода. Прямое сопротивление этих стабилитронов составляет 180…200 Ом. Обратное сопротивление стабилитрона столь велико (порядка нескольких десятков мегом), что не может быть измерено обычным омметром.
Выявление неполадок стабилитронов, определение прямого и обратного токов производят также с помощью испытателя Л2-54.
Выявление неполадок биполярных транзисторов. Переходы биполярного транзистора являются аналогами переходов обычных диодов. В транзисторе типа р-п-р имеются как бы два последовательно соединенных диода, у которых катоды, т. е. и-области переходов, соединены вместе и подключены к выводу базы, а аноды подключены к выводам эмиттера и коллектора. В транзисторах типа п — р — п с базой соединены аноды диодов.
Если в исправном транзисторе типа р-п-р к базе подключают положительный полюс внутренней батареи омметра, то переходы запираются и омметр показывает большое сопротивление между базой и коллектором или эмиттером. Если же к базе подключают отрицательный полюс внутренней батареи омметра, то он показывает малое сопротивление относительно эмиттера или коллектора. Для транзисторов типа п-р-п создают обратные вышеуказанным полярности подключаемого напряжения.
«Справочное пособие по ремонту приборов и регуляторов»,
А.А.Смирнов